2019年3月13-15日，IOTE 2019第十一届国际物联网展将在苏州国际博览中心拉开帷幕，届时物联网产业链各环节企业将带来精品展示，与行业同仁共襄行业盛会。与您携手，创意未来——富士通电子元器件(上海)有限公司将莅临此次盛会，并为大家带来其最新的成果展示。

　　富士通电子元器件(上海)有限公司

　　苏州国际博览中心

　　2019年3月13-15日

　　展位号：B146

　　关于富士通

　　富士通电子元器件(上海)有限公司是富士通在中国的半导体业务总部，于2003年8月成立，在北京、深圳、大连等地均设有分公司，负责统筹富士通在中国半导体的销售业务。

　　富士通电子元器件(上海)有限公司的主要销售产品包括Custom SoCs(ASICs)、代工服务、专用标准产品(ASSPs) 、铁电随机存储器继电器、GaN (氮化镓)、MCU和电源功率器件，它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户，并广泛应用于高性能光通信网络设备、手持移动终端、影像设备、汽车、工业控制、家电、穿戴式设备、医疗电子、电力电表、安防等领域。

　　公司产品推介

　　一、FRAM

　　FRAM(铁电存储器)具有像E2PROM一样的非易失性的优势 ，在没有电源的情况下可以保存数据，用于数据存储。FRAM有两个产品系列，串行接口(I2C，SPI)和并行接口产品。采用串行I/F的FRAM可以用E2PROM或串行闪存来代替，而采用并行I/F的产品可以用低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)来代替。富士通半导体集团控制着FRAM的整个生产程序;在日本的芯片开发和量产及组装程序。富士通公司保证了FRAM产品的高质量和稳定供应。自从1999年开始，FRAM产品已经连续供应12年以上，并且正在为许多客户提供所需的高可靠性。FRAM的4Kb至4Mb产品现已投入量产。富士通正在为客户评估提供工程研发样品或生产样品。

　　二、FRAM RFID

　　利用FRAM的低功耗，高速写入，放射线耐性等特点,富士通研发出独具特色的FRAM RFID芯片，面向FA，生化，医疗放射线杀菌，嵌入式电子设备等领域提供创新的应用解决方案。针对物联网应用的无线无电池的市场需求，最新推出可无线供电的嵌入式创新RFID芯片，并将应用在无源电子纸，键盘，遥控器，传感器等各种创新产品上。

　　适用于RFID标记的富士通LSI的主要特性

　　· 高速写入性能：通过嵌入式FRAM的高性能增强了写入操作的吞吐量。

　　· 稳定的通信距离：在低功耗模式下写入，在写入和读取操作上都实现了相同的通信距离。相比之下，E2PROM的标记在写入操作上消耗了更大量的功率，让通信距离变得更短。

　　· 高密度存储器：高速写入特性使其在标记上成为大容量存储器。但是标记嵌入式E2PROM的速度还不够快，不足以采用大容量存储器。

　　· 耐久力长：保证了最高1百万兆次的读/写操作，这一特性实现了标识的长期应用或复用。

　　· 抗辐射性强：即使经过伽马射线的照射或干扰，还是能保持数据。同时，嵌入标记的E2PROM从理论上讲，抗辐射能力较弱。

　　物联网参展观展必选物联传媒IOTE 2019!创自2009年，七万平方米，全球第一展，引领风向标!IOTE 2019国际物联网博览会是物联网产业链又一次全面完整的展示，涵盖物联网感知层——MEMS、RFID、智能卡、传感器、条码、生物识别、视频识别，网络传输层——NB-IoT、LoRa、2G/3G/4G/5G、eSIM、ZigBee、Bluetooth、GPRS、WIFI、UWB、Z-wave，运算与平台层——云计算、云平台、大数据与数据安全、人工智能，以及应用层——实时精准定位、智慧零售、无人售货、工业4.0、智慧物流、智慧城市、智能家居。